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MOS管與三極管的各自應(yīng)用特點
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱MOS管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓操控型半導(dǎo)體器件。具有傳入電阻高(10^7~10^12Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、**工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
MOS管與三極管的各自應(yīng)用特點
1.MOS管的源極s、柵極g、漏極d分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。
2.MOS管是電壓操控電流器件,由vGS操控iD,其擴大系數(shù)gm一般較小,因此MOS管的擴大能力較差;三極管是電流操控電流器件,由iB(或iE)操控iC.
MOS管
3.MOS管柵極幾乎不取電流(ig ?0);而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此MOS管的柵極傳入電阻比三極管的傳入電阻高。
4.MOS管是由多子參與導(dǎo)電;三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而MOS管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強。在環(huán)境條件(溫度等)變化很大的情況下應(yīng)選用MOS管。
5.MOS管在源極金屬與襯底連在一起時,源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大;而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時,其特性差異很大,β值將減小很多。
6.MOS管的噪聲系數(shù)很小,在低噪聲擴大電路的傳入級及要求信噪比較高的電路中要選用MOS管。
7.MOS管和三極管均可組成各種擴大電路和開關(guān)電路,但由于前者制造工藝簡單,且具有耗電少,熱穩(wěn)定性好,工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點,因而被廣泛用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。
8.三極管導(dǎo)通電阻大,MOS管導(dǎo)通電阻小,只有幾百毫歐姆,在現(xiàn)用電器件上,一般都用MOS管做開關(guān)來用,他的效率是比較高的。
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