MOS管的功耗包含三部分：
1. 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。
與MOSFET柵極電容充電和放電有關(guān)。這部分功耗通常是*高的，特別在很低的開(kāi)關(guān)頻率時(shí)。
2. 由于MOSFET 驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。
高電平時(shí)和低電平時(shí)的靜態(tài)功耗。
3. MOSFET 驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通（穿通）電流產(chǎn)生的功耗。
由于MOSFET 驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通而產(chǎn)生的功耗，通常這也被稱(chēng)為穿通。這是由于輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)的P溝道和N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管（FET）在其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間切換時(shí)同時(shí)導(dǎo)通而引起的。
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