MOS管正確選擇的步驟

　**步：選用N溝道還是P溝道
　　為設(shè)計選擇正確器件的**步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。
　　要選擇適合應(yīng)用的器件，必須確定驅(qū)動器件所需的電壓，以及在設(shè)計中*簡易執(zhí)行的方法。下一步是確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的*大電壓。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOS管不會失效。就選擇MOS管而言，必須確定漏極至源極間可能承受的*大電壓，即*大VDS.知道MOS管能承受的*大電壓會隨溫度而變化這點(diǎn)十分重要。設(shè)計人員必須在整個工作溫度范圍內(nèi)測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍，確保電路不會失效。設(shè)計工程師需要考慮的其他**因素包括由開關(guān)電子設(shè)備（如電機(jī)或變壓器）誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應(yīng)用為450~600V.
　　**步：確定額定電流
　　**步是選擇MOS管的額定電流。視電路結(jié)構(gòu)而定，該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的*大電流。與電壓的情況相似，設(shè)計人員必須確保所選的MOS管能承受這個額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電流）流過器件。一旦確定了這些條件下的*大電流，只需直接選擇能承受這個*大電流的器件便可。
　　技術(shù)對器件的特性有著重大影響，因?yàn)橛行┘夹g(shù)在提高*大VDS時往往會使RDS（ON）增大。對于這樣的技術(shù)，如果打算降低VDS和RDS（ON），那么就得增加晶片尺寸，從而增加與之配套的封裝尺寸及相關(guān)的開發(fā)成本。業(yè)界現(xiàn)有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術(shù)，其中*主要的是溝道和電荷平衡技術(shù)。
　　在溝道技術(shù)中，晶片中嵌入了一個深溝，通常是為低電壓預(yù)留的，用于降低導(dǎo)通電阻RDS（ON）。為了減少*大VDS對RDS（ON）的影響，開發(fā)過程中采用了外延生長柱/蝕刻柱工藝。例如，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了稱為SupeRFET的技術(shù)，針對RDS（ON）的降低而增加了額外的制造步驟。這種對RDS（ON）的關(guān)注十分重要，因?yàn)楫?dāng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET的擊穿電壓升高時，RDS（ON）會隨之呈指數(shù)級增加，并且導(dǎo)致晶片尺寸增大。SuperFET工藝將RDS（ON）與晶片尺寸間的指數(shù)關(guān)系變成了線性關(guān)系。這樣，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在擊穿電壓達(dá)到600V的情況下，實(shí)現(xiàn)理想的低RDS（ON）。結(jié)果是晶片尺寸可減小達(dá)35%.而對于*終用戶來說，這意味著封裝尺寸的大幅減小。
　　第三步：確定熱要求
　　選擇MOS管的下一步是計算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計人員必須考慮兩種不同的情況，即*壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對*壞情況的計算結(jié)果，因?yàn)檫@個結(jié)果提供更大的**余量，能確保系統(tǒng)不會失效。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù)；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻，以及*大的結(jié)溫。
　　器件的結(jié)溫等于*大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積（結(jié)溫=*大環(huán)境溫度+[熱阻×功率耗散]）。根據(jù)這個方程可解出系統(tǒng)的*大功率耗散，即按定義相等于I2×RDS（ON）。由于設(shè)計人員已確定將要通過器件的*大電流，因此可以計算出不同溫度下的RDS（ON）。值得注意的是，在處理簡單熱模型時，設(shè)計人員還必須考慮半導(dǎo)體結(jié)/器件外殼及外殼/環(huán)境的熱容量；即要求印刷電路板和封裝不會立即升溫。
　　雪崩擊穿是指半導(dǎo)體器件上的反向電壓超過*大值，并形成強(qiáng)電場使器件內(nèi)電流增加。該電流將耗散功率，使器件的溫度升高，而且有可能損壞器件。半導(dǎo)體公司都會對器件進(jìn)行雪崩測試，計算其雪崩電壓，或?qū)ζ骷姆€(wěn)健性進(jìn)行測試。計算額定雪崩電壓有兩種方法；一是統(tǒng)計法，另一是熱計算。而熱計算因?yàn)檩^為實(shí)用而得到廣泛采用。除計算外，技術(shù)對雪崩效應(yīng)也有很大影響。例如，晶片尺寸的增加會提高抗雪崩能力，*終提高器件的穩(wěn)健性。對*終用戶而言，這意味著要在系統(tǒng)中采用更大的封裝件。
　　第四步：決定開關(guān)性能
　　選擇 MOS管的*后一步是決定MOS管的開關(guān)性能。影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多，但*重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看伍_關(guān)時都要對它們充電。MOS管的開關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關(guān)過程中器件的總損耗，設(shè)計人員必須計算開通過程中的損耗（Eon）和關(guān)閉過程中的損耗（Eoff）。MOSFET開關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá)：Psw=（Eon+Eoff）×開關(guān)頻率。而柵極電荷（Qgd）對開關(guān)性能的影響*大。

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